لیتیم نوبیټ (LiNbO₃په لنډ ډول د LN په نوم یادیږي) یو څو اړخیز او څو مقصدي مصنوعي کرسټال دی کوم چې غوره الیکټرو اپټیک ، اکوسټو آپټیک ، لچکدار آپټیک ، پیزو الیکٹرک ، پایرو الیکټریک ، فوتوفراټیک تاثیر او نور فزیکي ملکیتونه مدغم کوي. LN کرسټال د مثلث کرسټال سیسټم پورې اړه لري، د خونې په حرارت کې د فیرو الیکٹرک پړاو سره، 3m ټکي ګروپ، او R3c فضا ډله په 1949 کې، میتیاس او ریمیکا د LN واحد کرسټال ترکیب کړ، او په 1965 کې بالمن په بریالیتوب سره د لوی اندازې LN کرسټال وده وکړه.

Iپه ۱۹۷۰ لسیزه کې LN جد الکترو آپټیک کیو سویچونو په چمتو کولو کې راسټال کارول پیل شوي. LN کرسټالونه بې خونده، د ټیټ نیم څپې ولتاژ، پس منظر ماډلول، د الکترودونو په جوړولو کې اسانه، مناسب کارول او ساتنه، او داسې نور ګټې لري، مګر دوی د فوتوفراټیک بدلونونو سره مخ دي او د لیزر زیان کم حد لري. په ورته وخت کې ، د لوړ نظری کیفیت کرسټالونو چمتو کولو ستونزه د نا مساوي کرسټال کیفیت لامل کیږي. د اوږد مهال لپاره،LN کرسټال لري یوازې په ځینو ټیټو کې کارول کیږي یا د منځنۍ بریښنا 1064 nm لیزر سیسټمونه.

د حل کولو لپاره ستونزه photorefractive اغیز، ډیر کارs have ترسره شوي دي. ځکه چې په عام ډول د LN کرسټال کارول کیږيلخوا رامینځته کیږي د ورته ترکیب eutectic نسبت د جامد مایع ریاست، tدلته نیمګړتیاوې لکه لیتیم خالي ځایونه او په کرسټال کې انټي نایوبیم شتون لري. د ترکیب او ډوپینګ بدلولو سره د کرسټال ملکیتونو تنظیم کول اسانه دي. په 1980 کې،دا’s وموندله چې د LN کریسټالونو ډوپینګ د میګنیشیم مینځپانګې سره د 4.6 mol٪ څخه ډیر زیاتوالی لريs د د عکس زیان مقاومت له یو څخه ډیر ترتیب د شدت سره. نور عکس العمل ضد ډوپیډ LN کرسټالونه هم رامینځته شوي ، لکه زنک ډوپډ ، سکینډیم ډوپډ ، انډیم ډوپډ ، هافنیم ډوپډ ، زیرکونیم ډوپډ, etc. ځکه ډوپ شوی LN ضعیف نظری کیفیت لري، او د فوتوفریکشن او لیزر زیان ترمینځ اړیکه د څیړنې نشتوالی دی ، دا لري په پراخه کچه نه کارول کیږي.

د حل کولو لپاره د لوی قطر، لوړ نظری کیفیت لرونکی LN کرسټالونو په وده کې شته ستونزې، څیړونکي په 2004 کې د کمپیوټر کنټرول سیسټم رامینځته کړ ، کوم چې د لوی اندازې ودې پرمهال په کنټرول کې د جدي ځنډ ستونزه په ښه توګه حل کړه. LN. د مساوي قطر کنټرول کچه خورا ښه شوې ، کوم چې د کرسټال ودې پروسې ضعیف کنټرول له امله رامینځته شوي قطر کې ناڅاپي بدلون له مینځه وړي ، او د کرسټال نظری یونیفورت خورا ښه کوي. د 3 انچ نظری یونیفورمch LN کرسټال د 3 × 10 څخه غوره دی^-5 سانتي متر^-1.

په 2010 کې، څیړونکیs وړاندیز وکړ چې په LN کرسټال کې فشار د تودوخې ضعیف ثبات اصلي لامل دی LN الکترو-نظری Q-سوئچ. د کمپیوټر په اساس- کنټرول شوی د مساوي قطر ټیکنالوژي د لوړ نظری کیفیت LN کرسټال وده کولو لپاره ، د تودوخې درملنې ځانګړي پروسه کارول کیږي ترڅو د خالي پاتې کیدو کم کړي. په 2013 کې،یو څوک دا وړاندیز وکړ, د داخلي فشار په توګه, د خارجي بندولو فشار لري ورته په t اغیزهد LN کرسټال د الکترو آپټیک Q-switching غوښتنلیک د تودوخې ثبات. دوی وده وکړه یو د لچکدار اسمبلۍ ټیکنالوژي د بهرني فشار ستونزې باندې بریالي کیدو لپاره چې د دودیز سخت کلیمپینګ له امله رامینځته کیږي ، او دا تخنیک د لیزرونو 1064 nm لړۍ کې وده او پلي شوې.

په ورته وخت کې، ځکه چې د LN کرسټال لري پراخه د ر lightا لیږد بانډ او لوی مؤثره الیکټرو - آپټیک کوفیینټ ، دا د مینځني انفراریډ څپې لیزر سیسټمونو کې کارول کیدی شي ، لکه 2 μm او 2.28 μm

د اوږدې مودې لپاره، که څه هم ډیر کارs have په LN کرسټالونو کې ترسره شوي، لاهم د سیسټمیک څیړنې نشتوالی شتون لري LN’s د انفراریډ فوتوفراټیک ملکیتونه، د داخلي لیزر زیان حد، او د زیان په حد کې د ډوپینګ اغیز میکانیزم. د الکترو آپټیکل کیو سویچنګ غوښتنلیکد LN کرسټال ډیر ګډوډي یې راوړې ده. په ورته وخت کې، د LN کرسټال جوړښت پیچلی دی، او د نیمګړتیاوو ډولونه او مقدارونه ډیر دي، چې نتیجه یې توپیر لري.ce د مختلفو فرنسونو لخوا تولید شوي, مختلف بیچونه، او حتی د ورته مختلف برخې د کرسټال ټوټه. کیدای شي د کرسټال په کیفیت کې لوی توپیرونه وي. دا ستونزمنه ده چې د الیکټرو آپټیک Q- سویچ شوي وسیلو د فعالیت دوام کنټرول کړئ ، کوم چې د LN کرسټالونو الیکٹرو آپټیک Q- سویچنګ غوښتنلیک هم تر یوې اندازې پورې محدودوي.

د لوړ کیفیت LN Pockels سیل د WISOPTIC لخوا جوړ شوی